快科技2月3日消息，TrendForce集邦咨詢發(fā)布最新存儲器產(chǎn)業(yè)研報顯示，受AI與數(shù)據(jù)中心需求持續(xù)激增推動，全球存儲器市場供需失衡加劇，2026年第一季度（Q1）DRAM、NAND Flash各類產(chǎn)品價格全面大幅上漲，多個細分品類季增幅度創(chuàng)下歷史新高，且不排除后續(xù)進一步上修的可能。 研報指出，此次價格上漲的核心驅(qū)動力來自需求端的爆發(fā)式增長。 隨著AI推理應(yīng)用場景持續(xù)擴大，北美、中國各大云端服務(wù)業(yè)者（CSP）、服務(wù)器廠商（Server OEM）對高性能存儲器的備貨需求強烈，而PC整機2025年

全球存儲器市場步入“超級周期”，漲價趨勢已蔓延至下游封測環(huán)節(jié)。近日，多家有存儲封裝測試業(yè)務(wù)的A股上市公司，在互動平臺密集回應(yīng)相關(guān)業(yè)務(wù)進展情況。 蘇商銀行特約研究員付一夫在接受《證券日報》記者采訪時表示：“存儲封裝測試漲價主要受先進封裝測試需求增長、原材料成本上升及產(chǎn)能緊張等因素推動。當前全球存儲封裝測試產(chǎn)能主要集中在中國、韓國以及美國。我國封裝測試企業(yè)近年快速崛起，通過技術(shù)攻關(guān)與擴產(chǎn)提升市場份額，隨著行業(yè)景氣度攀升，產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)迎來了發(fā)展機遇。” 多家企業(yè)滿產(chǎn) 受產(chǎn)能利用率逼近極限影響，中國臺灣